华为

面试书写4bit超前进位加法器，逻辑表达式如下：中间变量G_i=A_i B_i， P_i=A_i⊕B_iGi​=Ai​Bi​，Pi​=Ai​⊕Bi​和：S_i=P_i⊕C_{i-1}Si​=Pi​⊕Ci−1​，进位：C_i=G_i+P_i C_{i-1}Ci​=Gi​+Pi​Ci−1​。面试体验一般，需要准备笔纸

SDRAM的问题，并且问题难度有所上升，又被问了读写效能的问题（这里注意，如果前面有问题没答上来，最好面试结束后去了解一下，以免被再次问到）我自然是没答上来，SDRAM设计难点主要在什么地方？刷新请求到来时，读数据处于突发模式时，数据未突发完，此时来了刷新请求，如果等待一次突发完成以后可能导致刷新请求不能得到及时的响应，这时该怎么办（一次突发如果中途被打断，会导致后面需要读写的数据丢失，所以一般等待突发结束在跳出当前状态）？然后又问了FPGA的内部组成？LE中查找表的实现原理？分布式RAM与块RAM有什么区别？查找表与触发器是怎么构成分布式RAM的？全局时钟域与局部时钟的区别？IOB的主要组成部分？建立时间不满足与保持时间不满足是由什么原因产生的，怎么解决，具体怎么做？